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VBE165R09S
VBE165R09S
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,650V；9A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~4V；是一款单N型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和稳定性，适用于各种电源和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE165R09S
- 商品编号
- C42412384
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 功率因数校正电源(PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能(光伏逆变器)