VBE165R09S
VBE165R09S
- 描述
- TO252;N—Channel沟道,650V;9A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3~4V;是一款单N型MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE165R09S
- 商品编号
- C42412384
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
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