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VBZE2N65
VBZE2N65
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；是一款单极N型场效应晶体管，采用Plannar技术制造，适用于各种电源和电路模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZE2N65
- 商品编号
- C42412372
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC