- 引脚图
- 焊盘图
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VBA1805S
VBA1805S
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,80V；16A；RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子电路中的功率控制和开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1805S
- 商品编号
- C42412374
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.531nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 382pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 超级沟槽技术功率MOSFET
- 出色的栅极电荷x导通电阻Rds(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻Rds(on)
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步N沟道MOSFET