- 引脚图
- 焊盘图
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VBA1102M
VBA1102M
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；2.5A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款具有低功耗和高性能的单N沟道Trench技术MOSFET，适用于各种低功率电源和信号处理应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1102M
- 商品编号
- C42412376
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 高频升压转换器
- 液晶电视LED背光源