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VBA1102M
VBA1102M
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；2.5A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款具有低功耗和高性能的单N沟道Trench技术MOSFET，适用于各种低功率电源和信号处理应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1102M
- 商品编号
- C42412376
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 高频升压转换器
- 液晶电视LED背光源