温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBA1102M
VBA1102M
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；2.5A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款具有低功耗和高性能的单N沟道Trench技术MOSFET，适用于各种低功率电源和信号处理应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1102M
- 商品编号
- C42412376
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
商品特性
- 30V，VGS = 10V时，RDS(ON) = 21mΩ（典型值）
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 25mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换