- 引脚图
- 焊盘图
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VBL2606
VBL2606
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-60V；-120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款采用采用Trench技术高性能单P型场效应晶体管，适用于多个领域和模块，能够满足不同应用场合的需求。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL2606
- 商品编号
- C42412378
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC | |
| 输入电容(Ciss) | 11.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 900pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装