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IRLML0060TRPBF(ES)
N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRLML0060TRPBF(ES)
- 商品编号
- C42412353
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 352pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
IRLML0060TRPBF(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品IRLML0060TRPBF(ES)为无铅产品。
商品特性
- 60V，栅源电压（VGS）=10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）=75mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）=4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）=85mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换