- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBE2420
VBE2420
- 描述
- TO252；P—Channel沟道,-40V；-40A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.5V；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，应用于各种电子设备和系统中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2420
- 商品编号
- C42412368
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.372nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 272pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSS138PS,115(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 BSS138PS,115(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换