- 引脚图
- 焊盘图
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VBA1102N
VBA1102N
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；10.4A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~4.5V；是一款单N型MOSFE，采用Trench技术，适用于低功耗电源模块、电动汽车控制、工业控制等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1102N
- 商品编号
- C42412373
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NTJD4001NT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 NTJD4001NT1G(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 极低的 (Qqd),可降低开关损耗
- 100%进行 (Rg) 测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关