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VBA1102N
VBA1102N
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；10.4A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~4.5V；是一款单N型MOSFE，采用Trench技术，适用于低功耗电源模块、电动汽车控制、工业控制等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1102N
- 商品编号
- C42412373
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTJD4001NT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 NTJD4001NT1G(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 极低的 (Qqd),可降低开关损耗
- 100%进行 (Rg) 测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关