DMP4065SQ-7(ES)
P沟道,-40V,,-2.3A,110mΩ@-10V,-2A,-1.8V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMP4065SQ-7(ES)
- 商品编号
- C42412924
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V;150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品概述
P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品DMP4065SQ-7(ES)为无铅产品。
商品特性
- 40V,VGS = -10 V时,RDS(ON) = 110 mΩ(典型值)
- VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 150 mΩ(典型值)
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换
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