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2N7002P,215(ES)
带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 描述
- 2N7002P,215(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- 2N7002P,215(ES)
- 商品编号
- C42412339
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
2N7002P,215(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品2N7002P,215(ES)为无铅产品。
商品特性
- 60V, RDS(ON) = 1.85 Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 2.05 Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- ESD保护 - HBM:2kV
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换