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DMG1012UW-7(ES)
N沟道，20V，0.88A，220mΩ@4.5V,0.5A，0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMG1012UW-7(ES)
- 商品编号
- C42412344
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
DMG1012UW-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 DMG1012UW-7(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 20V,RDS(ON) = 220 m Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 290 m Ω(典型值)@ VGS = 2.5 V
- RDS(ON) = 420 m Ω(典型值)@ VGS = 1.8 V
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换