温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG1012UW-7(ES)
N沟道，20V，0.88A，220mΩ@4.5V,0.5A，0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMG1012UW-7(ES)
- 商品编号
- C42412344
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单