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IRFR3410TRPBF(ES)
N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- IRFR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRFR3410TRPBF(ES)
- 商品编号
- C42412346
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.982nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
IRFR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通态漏源电阻。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 IRFR3410TRPBF(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 100V，导通态漏源电阻 = 37 mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 导通态漏源电阻 = 39 mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换