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AONR21321(ES)
P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AONR21321(ES)
- 商品编号
- C42412347
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V；17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |