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ESP2301LT1G(ES)
P沟道，-20V，-2.3A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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- 描述
- ESP2301LT1G(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于直流 - 直流转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESP2301LT1G(ES)
- 商品编号
- C42412342
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
ESP2301LT1G(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ESP2301LT1G(ES) 为无铅产品。
商品特性
- -20V,在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 82 mΩ(典型值)
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 118 mΩ(典型值)
- 在 VGS = -1.8 V 时,RDS(ON) = 180 mΩ(典型值)
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低 RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠且耐用
- 有雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换