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SI2304DDS-T1-BE3(ES)
N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- SI2304DDS-T1-BE3(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI2304DDS-T1-BE3(ES)
- 商品编号
- C42412337
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V；33mΩ@2.5V；25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤