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HSCE1218
P沟道12V快速开关MOSFET
- 描述
- HSCE1218 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSCE1218 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCE1218
- 商品编号
- C42376799
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.13nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.42nF |
商品概述
HSCE1218是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSCE1218符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
-超低栅极电荷-提供环保型器件-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术