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HSP1502实物图
  • HSP1502商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSP1502

N沟道150V快速开关MOSFET

描述
100% EAS 保证。提供绿色环保器件。超低导通电阻 RDS(ON)。先进的高单元密度沟槽技术
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSP1502
商品编号
C42376814
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)190A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)410W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)128nC@10V
输入电容(Ciss)8.66nF
反向传输电容(Crss)28pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)720pF

商品概述

100%保证通过EAS测试

  • 提供绿色环保器件
  • 超低导通电阻RDS(ON)
  • 先进的高单元密度沟槽技术 N沟道150V快速开关MOSFET产品概述

商品特性

  • 100% 单脉冲雪崩耐量测试
  • 先进沟槽技术
  • 低栅极电荷
  • 高电流能力
  • 符合 RoHS 和无卤标准

应用领域

  • 电机驱动器
  • 不间断电源(UPS)
  • 电动工具
  • 开关电源(SMPS)中的同步整流

数据手册PDF