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HSH3129
P沟道，30V快速开关MOSFET
- 描述
- HSH3129 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH3129 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH3129
- 商品编号
- C42376816
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 420nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.41nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.58nF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
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