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HSH4129
P沟道，40V快速开关MOSFET
- 描述
- HSH4129是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH4129符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH4129
- 商品编号
- C42376817
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 390nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.36nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSH4129 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSH4129 符合 RoHS 和绿色产品要求,100%保证具有雪崩耐量(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证具有雪崩耐量(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 出色的 dv/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术