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HSBA4400
双N沟道快速开关MOSFET
- 描述
- HSBA4400 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA4400 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 担保，具备完整功能且通过可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA4400
- 商品编号
- C42376808
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSBA4400是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSBA4400符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证通过易感性评估(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证通过易感性评估(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术