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HSU30N20
N沟道200V快速开关MOSFET
- 描述
- 专有新型沟槽技术 RDS(ON) 典型值 = 43 mΩ（VGS = 10 V） 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低 快速恢复体二极管
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU30N20
- 商品编号
- C42376812
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
HSBB3P20采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于多种其他应用。 HSBB3P20符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术