- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSU6P20
P沟道200V快速开关MOSFET
- 描述
- HSU6P20采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。HSU6P20符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过易感性雪崩耐量（EAS）测试，且具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU6P20
- 商品编号
- C42376813
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.155nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
HSU6P20采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。HSU6P20符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证EAS
- 提供绿色器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应衰减
- 先进的高单元密度沟槽技术