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HSU0098
N沟道100V快速开关MOSFET
- 描述
- 特性：100% EAS Guaranteed。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 RoHs和无卤合规。应用：便携式设备。 电池供电系统
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU0098
- 商品编号
- C42376810
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 590pF |
商品特性
- 100% 保证通过 EAS 测试
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
- 符合 RoHS 标准且无卤
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 硬开关和高速电路