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HSU0096
N沟道100V快速开关MOSFET
- 描述
- HSU0096采用SGT技术，可提供出色的导通电阻（Rds(on)）、低栅极电荷和快速开关特性。该器件适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU0096
- 商品编号
- C42376811
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |
商品概述
- 专有新型沟槽技术 RDS(ON)，典型值 = 43 mΩ（VGS = 10 V 时） 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 开关电源中的同步整流-电机控制-硬开关和高速电路