温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSBA4018
N沟道40V快速开关MOSFET
- 描述
- HSBA4018是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA4018符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA4018
- 商品编号
- C42376802
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 344pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
HSBA4018是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSBA4018符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过EAS认证,具备全面的功能可靠性。
商品特性
-提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术