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HSBA30N20
N沟道200V快速开关MOSFET
- 描述
- 专有新型沟槽技术 RDS(ON)，典型值 = 43mΩ（VGS = 10V 时） 低栅极电荷，最大限度降低开关损耗 快速恢复体二极管
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA30N20
- 商品编号
- C42376806
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
- 专有新型沟槽技术 RDS(ON),典型值 = 43 mΩ(VGS = 10 V 时) 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
商品特性
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 采用先进沟槽技术
- 栅极电荷低
- 电流承载能力高
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
- 电机控制
- 硬开关和高速电路