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HSBA1119
P沟道12V快速开关MOSFET
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- 描述
- HSBA1119 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA1119 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过耐雪崩能力（EAS）测试，且具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA1119
- 商品编号
- C42376807
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSBA1119是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSBA1119符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电池保护
- 电源管理
- 负载开关