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HSBA0096
N沟道100V快速开关MOSFET
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- 描述
- HSBA0096采用SGT技术，可提供出色的导通电阻（Rds(on)）、低栅极电荷和快速开关特性。该器件适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA0096
- 商品编号
- C42376805
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |
商品概述
HSBA0096采用SGT技术,可提供出色的导通电阻Rds(on)、低栅极电荷和快速开关特性。该器件适用于多种应用场景。
商品特性
- 100%保证耐雪崩能力
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
- 电机控制
- 硬开关和高速电路