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HSBB3P20
P沟道200V快速开关MOSFET
- 描述
- HSBB3P20采用先进的沟槽MOSFET技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷特性，适用于多种其他应用。HSBB3P20符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过易感性雪崩耐量（EAS）测试，且经过全面功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB3P20
- 商品编号
- C42376800
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.155nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSBB3303是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBB3303符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术