- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSBB3072C
N沟道30V快速开关MOSFET
- 描述
- 100% EAS 保证。有绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的 CdV/dt 效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB3072C
- 商品编号
- C42376795
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 229pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品特性
- 100% EAS 保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度 SGT MOS 技术
应用领域
- 台式计算机或 DC/DC 转换器中的电源管理
- 电信和工业领域的隔离式 DC/DC 转换器