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HSBB1260
N沟道12V快速开关MOSFET
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- 描述
- HSBB1260是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB1260符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB1260
- 商品编号
- C42376793
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127564克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 940pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.06nF |
商品概述
HSBB1260是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB1260符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 电池保护
- 电源管理