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HSCB20D05
双P沟道，20V快速开关MOSFET
- 描述
- HSCB20D05是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSCB20D05符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB20D05
- 商品编号
- C42376792
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.28nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 187pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSBB1260 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBB1260 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷