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CMD30NP06
N+P沟道 60V 30A
- 描述
- CMD30NP06采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD30NP06
- 商品编号
- C41410522
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3815克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条纹DMOS技术制造。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- 不间断电源
- 开关模式电源