商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
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原价
折合1管
1+￥19.304￥20.32
10+￥16.5015￥17.37
30+￥14.839￥15.62￥468.6
90+￥13.1575￥13.85￥415.5
510+￥12.3785￥13.03￥390.9
990+￥12.027￥12.66￥379.8
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