温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK2313
N沟道 耐压:60V 电流:110A
- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关应用。60V、典型值6.5mΩ、110A的N沟道MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- 2SK2313
- 商品编号
- C39840864
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
085N04采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源