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CMB073N15
N沟道 150V 160A
- 描述
- 073N15采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB073N15
- 商品编号
- C39840865
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.5nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
073N15采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。150V、典型值6.2mΩ、160A的N沟道MOSFET
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机控制与驱动-电池管理-不间断电源