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2SJ655

1个P沟道 耐压:100V 电流:12A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
2SJ655
商品编号
C3290626
商品封装
TO-220ML​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))136mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)2.09nF
反向传输电容(Crss)108pF
工作温度-
类型P沟道
输出电容(Coss)155pF

商品特性

  • 低导通电阻
  • 4V驱动
  • 超高速开关
  • 抗雪崩能力有保障

应用领域

-电机驱动-DC/DC转换器

数据手册PDF