FDFC3N108
N沟道,电流:3A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFC3N108
- 商品编号
- C3290093
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 355pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
这些专为2.5V设计的P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件专为在极小的占位面积内实现出色的功率耗散而设计，适用于采用体积更大、成本更高的SO - 8和TSSOP - 8封装不切实际的应用场景。
商品特性
- 3A、20V,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 70 mΩ
- VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 95 mΩ
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
-电池管理/充电器应用-DC/DC转换