SI3456DV
N沟道,电流:5.1A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI3456DV
- 商品编号
- C3290090
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款额定电压为 2.5 伏的 N 型场效应晶体管是飞兆半导体公司先进“功率沟槽”工艺的坚固型栅极版本。它经过优化，适用于电源管理应用，具有广泛的栅极驱动电压范围（2.5 伏至 12 伏）。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 32毫欧，在栅源电压VGS = 2.5V时
- 6.4 ，20 V，漏源导通电阻RDS(ON) = 24毫欧，在栅源电压VGS = 4.5V时
- 扩展的栅源电压VGS范围（±12V），适用于电池应用
- ESD保护二极管
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- 锂离子电池组