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TSM4424CS RVG

N沟道,电流:8A,耐压:20V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM4424CS RVG
商品编号: C3289864
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

FDFS6N303将高单元密度MOSFET和低正向压降（0.35V）肖特基二极管集成到单个表面贴装功率封装中。MOSFET和肖特基二极管在封装内部相互隔离。选用通用引脚排列，以最大限度提高灵活性和易用性。该产品特别适用于开关应用，如DC/DC降压、升压、同步和非同步转换器，其中MOSFET驱动电压低至4.5V，且需要快速开关、高效率和小PCB占位面积。

商品特性

RDS(ON) = 0.055Ω @ VGS = 4.5V
VF < 0.42V @ 3A
VF < 0.50V @ 6A
6A、30V。RDS(ON) = 0.035Ω @ VGS = 10V
VE < 0.28V @ 0.1A
肖特基二极管和MOSFET集成于单个功率表面贴装SO - 8封装
通用引脚排列，便于设计
非常适合DC/DC转换器应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	30mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	2.5W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	11.2nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	500pF@10V
	反向传输电容(Crss)	140pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道