UPA611TA-T1-A
N沟道MOSFET,电流:0.1A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA611TA-T1-A
- 商品编号
- C3289619
- 商品封装
- SC-74-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@10uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9pF@3V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO7405采用先进的沟槽技术，在小型SOT363封装下，可实现出色的 RDS(on) 、低栅极电荷，且在低至2.5V的栅极电压下仍能正常工作。它可用于多种应用，包括负载开关、小电流逆变器和小电流DC-DC转换器。
应用领域
- 负载开关-小电流逆变器-小电流DC-DC转换器
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