UPA603T-T2-A
双通道P沟道MOSFET,电流:-100mA,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA603T-T2-A
- 商品编号
- C3289593
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道SyncFET™采用先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅和封装技术的进步，在保持极低的结到环境热阻以实现出色开关性能的同时，提供了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 24 A时，最大导通电阻rDS(on) = 2.8 mΩ
- 当VGS = 4.5 V、ID = 22 A时，最大导通电阻rDS(on) = 3.1 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 具备SyncFET™肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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