IPN60R2K0PFD7SATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:3A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- 商品编号
- C3288804
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@500mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@30uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 134pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
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