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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDU8796

N沟道,电流:35A,耐压:25V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDU8796
商品编号
C3288549
商品封装
IPAK​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)88W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)2.61nF
反向传输电容(Crss)475pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)605pF

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 35 A 时,最大 rDS(on) = 5.7 m Ω
  • 在 VGS = 4.5 V、ID = 35 A 时,最大 rDS(on) = 8.0 m Ω
  • 低栅极电荷:Qg(10) = 37 nC(典型值),VGS = 10 V
  • 低栅极电阻
  • 雪崩额定,100% 经过测试
  • 符合RoHS标准
  • D-PAK(TO-252)
  • (TO-251AA)
  • 短引脚I-PAK

应用领域

  • 台式计算机和服务器的Vcore DC-DC转换器
  • 中间总线架构的VRM

数据手册PDF