FDU8778
N沟道,电流:35A,耐压:25V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU8778
- 商品编号
- C3288548
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 845pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 162pF@13V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合笔记本电脑应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。
商品特性
- -4 A，-30 V。在栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.050 Ω；在栅源电压（VGS） = -4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.075 Ω
- 低栅极电荷（典型值8nC）。
- 高性能沟槽技术，可实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- SuperSOT™-6封装：占位面积小（比标准SO-8小72%）；厚度薄（1mm厚）。
应用领域
- 笔记本电脑应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换