NTMFS4C810NAT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:46A 电流:8.2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C810NAT1G
- 商品编号
- C3288266
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A；46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.88mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 750mW；23.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 987pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。
因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。
SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有出色的反向恢复性能，可省去额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷,以最小化开关损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-CPU电源供应-DC-DC转换器
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