CPH6429-TL-E
1个N沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH6429-TL-E
- 商品编号
- C3288058
- 商品封装
- CPH-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4V,1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF@20V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
FDZ204P将先进的2.5V指定PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合，最大限度地减少了PCB空间和 RDS(on)。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破，使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低 RDS(on) 等优点。
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护