温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD17579Q3A
1个N沟道 耐压:30V 电流:39A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17579Q3A
- 商品编号
- C3282045
- 商品封装
- VSONP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 998pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121pF |
商品概述
这款 30V, 8.7mΩ, SON 3.3mm x 3.3mm NexFET功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗,提供了灵活性和便利性。
商品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
应用领域
- 用于网络、电信和计算系统中的负载点同步降压转换器
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化