CSD17579Q3A
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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描述
CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD17579Q3A商品编号
C3282045商品封装
VSONP-8(3.3x3.3)包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10.2mΩ@8A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 3.2W；29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 998pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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