CSD17579Q3A
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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描述
CSD17579Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD17579Q3A商品编号
C3282045商品封装
VSONP-8(3.3x3.3)包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V,8A | |
耗散功率(Pd) | 2.5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 998pF@25℃ | |
反向传输电容(Crss) | 49pF@25℃ | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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