FDD86102LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A 电流:8A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD86102LZ
- 商品编号
- C3281485
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22.5mΩ@8A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 3.1W；54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.54nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造,该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻和开关损耗进行了优化。添加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 8 A时,最大rDS(on) = 22.5 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 7 A时,最大rDS(on) = 31 m Ω
- 典型HBM ESD保护等级>6 kV
- 与同类沟槽技术相比,Qg和Qgd极低
- 开关速度快
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC转换
- 逆变器
- 同步整流器