RJK60S3DPP-E0#T2
600V, 12A, SJMOSFET
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK60S3DPP-E0#T2
- 商品编号
- C3280944
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
RM80N100AT2采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 80A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7.2mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 9.5mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 适用于高频开关和同步整流
- 无卤
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